5月17日消息，近日，台积电在技术研讨会上宣布，其3nm工艺技术已稳定进入生产阶段，并计划在2024年下半年推动N3P节点投入大规模量产。
台积电方面介绍，N3P技术是基于现有的N3E工艺节点进行的优化升级，该技术在能效和晶体管密度上实现了显著提升。N3E工艺节点的生产效率已大幅提高，现已与成熟的5nm工艺并驾齐驱。
据ITBEAR科技资讯了解，台积电的高层管理人员在会议上透露，N3P工艺已经完成了全面的质量验证，其良品率已接近N3E的水平。作为一种先进的光学微缩工艺，N3P与N3E在IP模块、设计规则、EDA工具和方法上均具有良好的兼容性，这使得从N3E到N3P的技术过渡得以顺利进行。
台积电强调，N3P的主要优势在于其强化的技术规格。相较于N3E，使用N3P技术的芯片设计人员可以期待在维持相同功耗的情况下，实现大约4%的性能提升，或者在保持相同性能的情况下，实现约9%的功耗降低。对于包含逻辑、SRAM以及模拟元件的标准芯片设计，N3P还能使晶体管密度提升4%。这一系列的提升将有助于芯片在性能和效率上达到新的高度。
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