光刻机领域的巨头ASML在2023年末向Intel成功交付了全球首套高数值孔径（High-NA）EUV光刻机，型号为TWINSCAN EXE:5000。这一举动在当时被业界广泛认为是对先进芯片研发及下一代处理器生产具有重大意义的里程碑。
然而，时至今日，业界风向似乎有所转变。多家晶圆代工厂开始减少对High-NA EUV光刻机的依赖，并推迟了其导入计划。这一变化尤其引起了市场对High-NA EUV光刻机前景的广泛质疑，其中Intel某位不愿透露姓名的董事的发言更是加剧了这一疑虑。
据该董事透露，新型晶体管设计，如GAAFET和CFET，正在逐步降低芯片制造对先进光刻设备，特别是EUV光刻机的依赖。这些设计侧重于通过蚀刻去除多余材料，而非增加晶圆曝光时间来缩小电路尺寸。随着芯片生产中横向重要性的提升，High-NA EUV光刻机的重要性显得不再那么突出。
该董事进一步解释，像GAAFET和CFET这样的设计，将显著增强光刻后制造步骤的重要性，尤其是刻蚀技术。这将削弱光刻在整个芯片制造工艺中的主导地位。通常，芯片制造流程始于光刻，将设计图案转移到晶圆上，然后通过沉积添加材料，最后通过刻蚀选择性去除多余材料，形成晶体管和电路。
他强调，未来的重点可能将从单纯依赖光刻机缩小特征尺寸，转向更为复杂和关键的刻蚀工艺，以确保新型三维晶体管结构的精确制造。这一观点预示着芯片制造技术路线可能面临重大变革。
实际上，台积电此前也曾表达过类似看法。他们表示，1.4纳米级工艺技术无需High-NA EUV光刻机，且目前尚未找到必须使用它的理由。台积电的技术团队正在积极寻找延长现有EUV设备寿命的方法。
ASML最新一代High-NA EUV光刻机作为世界上最先进的光刻设备，单价高达4亿美元，其高昂的价格令不少厂商望而却步。截至目前，ASML已向客户交付了5台此类设备，客户包括Intel和三星。这款光刻机重达180吨，体积庞大如同双层巴士，被誉为全球最昂贵的半导体制造设备之一。
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