近日，集邦咨询发布市场研报，称苹果正在计划使用QLC NAND闪存，从而将iPhone的存储上限提升至2TB。
早些时候，也曾有消息称，苹果或许将在部分iPhone 16上改变闪存规格。
具体来说，在容量达到或超过1TB的机型中，采用QLC NAND闪存。
与TLC相比，QLC的优势在于每个存储单元可以存储4bit数据，与TLC相比存储密度提高了33%。
除了存储密度更高，QLC还拥有更低的成本，这使得它被广泛应用在入门级固态硬盘与大容量存储硬件中。
不过，QLC显然并不完美。
虽然QLC的密度比TLC高，但速度却比后者慢；而且单个单元中存在更多的单元，它们的耐用性较差，这意味着它们能处理的写入周期比TLC少。
这意味着，如果苹果继续执行这一计划，一些版本的iPhone 16 用户可能会遇到数据写入速度低于低容量用户的情况。
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