三星从未放弃自家旗舰芯片的打造。
据外媒消息透露，三星已经与Synopsys公司合作，将练手打造下一代的3nm旗舰工艺制程芯片，而Synopsys公司的出现就是为了最大限度的提升芯片良率。
三星带来的这首款3nm工艺芯片将会采用Gate All Around（GAA）工艺，三星GAA设计被称为MCBFET，即多信道桥式FET。
与传统的3nm工艺制程芯片相比，三星自家的3nm GAA设计的产品功率损耗可降低50%，性能也将得到改善，与之前的4nm FinFET工艺相比，能效和密度有着20%至30%的提升。
按照产品线更新情况，这颗3nm芯片应该就是传闻中的Exynos 2500了，将会在三星Galaxy S25系列上首发搭载，对标的竞品是骁龙8Gen4和联发科天玑9400。
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