快科技5月25日消息，有网友给手机晶片达人留言：骁龙8 Gen4不会再现骁龙888那种情况吧？
对此，手机晶片达人回复：骁龙8 Gen4采用台积电3nm工艺，不是三星。
众所周知，骁龙888终端普遍存在过热问题，当时所有矛头都指向了三星5nm工艺制程。
由于当时苹果吃掉了台积电的大部分5nm产能，高通只能退而求其次选择三星作为代工厂。
而作为首批使用三星5nm工艺的芯片，骁龙888的发热被指与三星5nm工艺问题有关。
据数码博主测评，在相同条件的游戏体验后，麒麟9000和苹果A14两款台积电5nm芯片的平均芯片功耗为2.9W和2.4W，而采用三星5nm技术的骁龙888为4.0W。
从晶体管密度上来说，台积电的5nm工艺能达到1.73亿颗晶体管，三星的工艺更为落后，5nm工艺仅达到1.27亿颗晶体管。
因三星工艺问题，从骁龙8+ Gen1开始，高通转投台积电怀抱，骁龙8+ Gen1、骁龙8 Gen2、骁龙8 Gen3等旗舰平台都选择台积电代工，其市场表现良好。
即将在今年10月份亮相的骁龙8 Gen4也会选择台积电代工，而且首次使用台积电3nm工艺制程。
据爆料，高通骁龙8 Gen4使用的是台积电新一代3nm制程N3E，N3E修复了N3B上的各种缺陷，设计指标也有所放宽，对比N5同等功耗，性能提升15-20％、同等性能功耗降低30-35％，逻辑密度约1.6倍、芯片密度约1.3倍，表现值得期待。
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