1 月 31 日消息，据外媒Tom's shardware报道，长江存储目前已开始出货第五代 3D TLCNAND 闪存，共有 294 层，以及 232 个有源层。
外媒认为长江存储在其闪存中使用了晶栈 4.0（注：Xtacking 4.0）架构，利用混合键合技术将闪存阵列与 CMOS 逻辑和接口连接起来，以最大限度地提高存储密度和 I/O 性能。
具体规格方面，长江存储第五代 3D TLC NAND 闪存的位密度据称超过了 20Gb / mm²，略低于铠侠和西部数据 BiCS8 QLC NAND 闪存的 22.9Gb / mm²。
外媒称，目前长江存储已成功将其闪存密度提高到行业相同的水平，该公司现已成为全球 NAND 市场的有力竞争者。
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