3 月 19 日消息，集邦咨询昨日发布报告，预估到 2024 年年底在 DRAM 产业规划中，生产 HBM TSV 的产能约为 250K / m，占总 DRAM 产能（约 1800K / m）约 14%，产能同比增长 260%。
集邦咨询预估 2023 年 HBM 产值在 DRAM 整体产业中的占比约 8.4%，到 2024 年底将扩大至 20.1%。
集邦咨询表示 HBM 和 DDR5 在生产方面差异主要体现在 Die Size 上，在相同制程和相同容量（例如 24Gb）情况下，HBM 的 Die 尺寸比 DDR5 大 35～45%，但良率要比 DDR5 低约 20～30%、生产周期（包含 TSV）较 DDR5 多 1.5~2 个月不等。
HBM 生产周期较 DDR5 更长，从投片到产出与封装完成需要两个季度以上。因此，急欲取得充足供货的买家需要更早锁定订单量。
据 TrendForce 集邦咨询了解，大部分针对 2024 年度的订单都已经递交给供应商，除非有验证无法通过的情况，否则目前来看这些订单量均无法取消（non-cancellable）。
集邦咨询观察，以 HBM 产能来看，三星、SK 海力士（SK hynix）至今年底的 HBM 产能规划最积极，三星 HBM 总产能至年底将达约 130K（含 TSV）；SK 海力士约 120K，但产能会依据验证进度与客户订单持续而有变化。附上截图如下：
另以现阶段主流产品 HBM3 产品市占率来看，目前 SK 海力士于 HBM3 市场比重逾 9 成，而三星将随着后续数个季度 AMD MI300 逐季放量持续紧追。
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