6 月 10 日消息，韩媒 the bell 当地时间昨日报道称，由于 HBM4 内存的 I/O 数量较此前产品翻倍至 2048，在 HBM4 DRAM上沿用 1b 工艺的 SK 海力士和美光不得不扩大 DRAM Die 的面积，降低了单晶圆上可生产的 HBMDRAM Die 数量。
不过对于三星电子而言，由于其 HBM4 内存的 DRAM Die 工艺将从前代的 1a nm 升级两代到 1c nm，预计单晶圆 DRAM Die 产量仍将有所提升。但考虑到工艺复杂度的变化，三星的 HBM4 实际成本也将增加。
业界消息预计，HBM4 内存的早期规格 12Hi 36GB 的市场售价将超过 600 美元（IT酷哥注：现汇率约合 4311 元人民币），形成较同容量 HBM3E 的明显溢价。
本文链接：http://www.28at.com/showinfo-26-158386-0.html消息称 I O 翻倍影响 HBM4 DRAM Die 面积，初期 12Hi 堆栈超 600 美元
声明：本网页内容旨在传播知识，不代表本站观点，若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。
