中国DRAM领先企业长鑫存储正加速新一代DRAM开发与量产。其首款商用DDR5产品采用16纳米制程，优于原计划的17纳米，而下一代15纳米制程技术也将在2025年内完成开发，最快2026年下半年商用化。
长鑫存储的16Gb DDR5产品，命名为“G4”，与上一代G3（18纳米）相比，DRAM的Cell尺寸缩小20%。
尽管面临美国出口管制，无法使用极紫外光（EUV）等先进设备，长鑫仍计划利用现有设备开发更先进的制程技术。
长鑫此前主要生产基于17~18纳米制程的DDR4和LPDDR4X，2024年成功推出中国首款LPDDR5，2025年初商用化DDR5。其G5制程目标锁定15纳米，计划在2025年底前完成开发，若2026年成功完成样品测试，市场将可见到G5制程产品。
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