ROHM量产650V耐压GaN HEMT,采用小型高散热TOLL封装
2025-02-15 15:53:31 芯片 60观看
摘要ROHM已量产650V耐压GaN HEMT「GNP2070TD-Z」,采用TOLL封装,体积小且散热性能出色。该产品由半导体后段制程供应商ATX生产,旨在满足大功率应用对小型化和高效率化的需求。ROHM于2023年量产了第一代650V耐压GaN HEMT,并随后

ROHM已量产650V耐压GaN HEMT「GNP2070TD-Z」,采用TOLL封装,体积小且散热性能出色。该产品由半导体后段制程供应商ATX生产,旨在满足大功率应用对小型化和高效率化的需求。
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ROHM于2023年量产了第一代650V耐压GaN HEMT,并随后推出了Power Stage IC。此次,ROHM在DFN8080封装基础上,强化了650V GaN HEMT的封装阵容,内建了第二代GaN on Si芯片,性能达到业界顶级水平。9bY28资讯网——每日最新资讯28at.com


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新产品有助于电源系统实现节能和小型化,已于2024年12月量产,并通过电商平台销售。ROHM与台积电和ATX合作,前段制程在台积电生产,后段制程在ATX生产。ROHM还计划与ATX合作生产车载GaN元件,预计2026年起加速普及。9bY28资讯网——每日最新资讯28at.com


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ATX董事兼总经理廖弘昌表示,ROHM拥有先进的制造技术,很高兴与其合作。双方于2017年开始技术交流,并探讨深入合作的可能性。9bY28资讯网——每日最新资讯28at.com


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