半导体测试设备领导者爱德万测试（Advantest Corporation）发布了T5801超高速DRAM测试系统。该系统专为GDDR7、LPDDR6和DDR6等最新高速存储器技术设计，旨在满足AI、HPC和边缘应用等需求。
随着存储器技术日益复杂和高速，T5801平台应运而生，为最高速度的存储器元件提供精准、高效的测试。
该系统采用创新前端单元测试（FEU）架构，满足次时代DRAM模块的严格需求，达到36Gbps PAM3和18Gbps NRZ的领先效能。
爱德万测试ATE事业群存储器测试事业本部长铃木雅之表示，T5801能帮助客户以准确、快速和可靠的方式验证次时代DRAM效能，确保产品快速上市。
T5801建立在爱德万测试的领先DRAM测试解决方案基础上，支持PAM3，创下JEDEC标准DRAM首例，展现其在GDDR7等存储器创新方面的实力。
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