铠侠突破技术壁垒,推出332层3D NAND存储器
2025-02-22 08:34:19 芯片 23观看
摘要日本存储巨头铠侠(Kioxia)宣布了一项震撼业界的消息:成功研发出堆叠层数高达332层的3D NAND存储器。相较于目前量产的218层产品,这一突破无疑展现了铠侠在存储技术领域的深厚实力。据悉,这款全新的3D NAND存储器不仅堆叠层

日本存储巨头铠侠(Kioxia)宣布了一项震撼业界的消息:成功研发出堆叠层数高达332层的3D NAND存储器。相较于目前量产的218层产品,这一突破无疑展现了铠侠在存储技术领域的深厚实力。xWk28资讯网——每日最新资讯28at.com


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据悉,这款全新的3D NAND存储器不仅堆叠层数大幅增加,其数据传输速度也实现了显著提升,高达4.8Gbps,较之前的产品提升了33%。xWk28资讯网——每日最新资讯28at.com


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这意味着用户将享受到更加迅速、流畅的数据处理体验。同时,该存储器在功耗效率方面也表现出色,数据输入和输出时的功耗分别降低了10%和34%,实现了高效能与低功耗的完美平衡。xWk28资讯网——每日最新资讯28at.com


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铠侠表示,这款332层3D NAND存储器将主要应用于人工智能(AI)数据中心等领域,以满足日益增长的数据存储需求。xWk28资讯网——每日最新资讯28at.com


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此外,该技术还将应用于即将推出的第10代3D NAND存储器中,通过优化平面布局进一步提升存储密度和位元密度。xWk28资讯网——每日最新资讯28at.com


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尽管具体量产时间尚未确定,但铠侠的这一技术突破无疑为存储市场注入了新的活力。未来,随着技术的不断成熟和量产的推进,这款332层3D NAND存储器有望成为存储领域的新标杆。xWk28资讯网——每日最新资讯28at.com

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