近日，士兰微电子旗下的厦门士兰集宏半导体有限公司宣布，其8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造项目已正式封顶。
该项目总投资额达到120亿元，分两期建设，预计将成为全球领先的8英寸SiC功率器件产线。
经过8个月的紧张施工，该项目已顺利完成封顶。一期工程预计将于2025年第四季度初步通线，2026年第一季度试生产，达产后年产能将达到42万片8英寸SiC芯片。二期投产后，总产能将进一步提升至72万片/年。
士兰集宏项目以SiC MOSFET为核心产品，旨在满足新能源汽车、光伏逆变器、智能电网等高需求领域对高性能功率器件的需求。
该项目的成功封顶，标志着士兰微电子在SiC领域迈出了重要一步，将进一步推动国内SiC产业链的完善和发展。
据悉，士兰微电子已经实现了第Ⅳ代SiC MOSFET芯片的量产，并获得了国内知名车企的批量采购。未来，士兰集宏项目将有望满足国内40%以上的车规级SiC芯片需求，为新能源汽车产业提供强有力的支持。
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