在第四届中国（南京）新赛道大会上，《中国新赛道体系发展报告2025》正式发布，报告预测了2025年“年度十大潜力新赛道”，涵盖生成式AI、具身智能、商业航天、生物制造、第三代半导体、新型储能、低空经济、量子科技、脑机接口和6G等领域。其中，第三代半导体成为南京重点布局的“赛道名片”之一。
南京已将第三代半导体列入战略性新兴产业，并出台专项扶持政策。江北新区等区域明确将第三代半导体作为核心发展方向，致力于构建全产业链生态。
科研方面，南京大学、东南大学和南京理工大学等高校发挥了重要作用。东南大学宽带隙半导体技术教育部重点实验室在GaN垂直结构器件技术上取得进展，导通电阻降低40%；南京大学电子科学与工程学院则在SiC MOSFET沟槽栅氧化层技术上实现突破。这些成果为南京在碳化硅器件和氮化镓外延片等领域的技术发展奠定了坚实基础。