西湖大学孵化企业成功开发12英寸碳化硅衬底激光剥离技术
2025-04-04 08:41:58 芯片 37观看
摘要据科技日报消息,西湖大学孵化的西湖仪器(杭州)技术有限公司近日成功研发出12英寸碳化硅衬底自动化激光剥离技术。这一突破性进展有效解决了12英寸及以上超大尺寸碳化硅衬底切片的技术难题。西湖大学工学院讲席教授仇旻表
据科技日报消息,西湖大学孵化的西湖仪器(杭州)技术有限公司近日成功研发出12英寸碳化硅衬底自动化激光剥离技术。这一突破性进展有效解决了12英寸及以上超大尺寸碳化硅衬底切片的技术难题。
西湖大学工学院讲席教授仇旻表示,制造更大尺寸的碳化硅衬底材料是碳化硅行业实现降本增效的重要途径。与6英寸和8英寸衬底相比,12英寸碳化硅衬底显著扩大了单片晶圆上可用于芯片制造的面积。在相同生产条件下,这不仅能够大幅提升芯片产量,还能有效降低单位芯片的制造成本。
仇旻进一步介绍,该技术实现了碳化硅晶锭减薄、激光加工以及衬底剥离等流程的自动化操作。相比传统切割技术,激光剥离过程无需材料损耗,原料损耗显著减少。此外,新技术大幅缩短了衬底出片时间,为未来超大尺寸碳化硅衬底的规模化量产提供了技术支持,从而进一步推动行业降本增效。

这一技术的突破不仅为碳化硅材料的应用开辟了新路径,也为半导体行业的技术发展注入了新的动力。

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