4月2日，鲁晶半导体技术团队与山东大学新一代半导体材料研究院达成深化合作协议，计划联合申报国家级科研项目，共建实验室，并推动技术标准制定。双方将以此次合作为契机，构建“基础研究+技术攻关+产业落地”全链条创新体系，助力国产半导体实现自主可控。
当天的交流中，双方聚焦超高压5000V SiC肖特基二极管及大功率MOSFET器件的技术进展。鲁晶半导体团队分享了其在器件研发与制造中的阶段性成果，山东大学专家则从学术层面剖析了高频、高效、高温性能的优化方案。双方一致认为，SiC功率器件凭借耐高压、低损耗的特性，将成为未来电力电子领域的核心技术方向。
此外，鲁晶半导体技术团队还重点介绍了SiC器件在新能源汽车、光伏储能、充电桩等场景的应用潜力。山东大学专家针对高功率密度、长寿命等需求提出了优化建议。双方均表示，SiC技术的规模化应用将显著提升能源效率，降低碳排放，为实现“双碳”目标提供重要技术支撑。
据鲁晶芯城消息，鲁晶半导体将依托山东大学新一代材料研究院的平台及人才资源，强化技术研发能力；山东大学则借助企业的产业资源与市场渠道，加速科研成果的转化。
图源：鲁晶芯城