德州仪器近期推出了全新的集成式氮化镓（GaN）功率级系列，涵盖LMG3650R035、LMG3650R025和LMG3650R070三款产品。这一系列产品采用行业标准TOLL封装，将高性能栅极驱动器与650V GaN场效应晶体管（FET）相结合，显著提升了电源设计的功率密度和效率，可广泛应用于数据中心、工业电源及可再生能源等高需求场景。
据德州仪器工业电源设计服务总经理Robert Taylor透露，随着数据中心能源需求的持续增长，全球数字基础设施供电领域正逐步采用更智能、更高效的半导体技术。先进的芯片推动了人工智能的计算能力，而模拟半导体则在提升能源效率方面发挥关键作用。德州仪器的创新电源管理技术能够帮助数据中心减少环境影响，同时满足数字世界不断增长的需求。
该系列功率级集成了高性能栅极驱动器与650V GaN FET，可实现高于98%的效率和超过100W/in³的功率密度。此外，器件还具备多种保护功能，包括过电流保护、短路保护和过温保护，这些特性在服务器电源等交流/直流应用中尤为重要，因为设计人员需要在有限空间内实现更大功率输出。
此前，德州仪器已在日本会津工厂投产基于氮化镓的功率半导体，结合现有的制造产能，其自有GaN功率半导体的生产能力将提升至原来的四倍，进一步增强了供应链的稳定性。