近日，德国半导体企业Neumonda与铁电存储器公司（FMC）宣布达成战略合作，计划在德国德累斯顿建设一条新型非易失性存储芯片（FeRAM）生产线，这标志着欧洲在存储芯片领域本土化生产的重新布局。
据媒体报道，此次合作的核心是FMC研发的“DRAM+”技术。该技术采用10nm以下制程兼容的铪氧化物（HfO2）作为铁电层，替代传统的锆钛酸铅（PZT）材料，成功突破了传统FeRAM的存储容量限制。新技术将存储容量从过去的4-8MB大幅提升至Gb-GB级别，同时保留了断电数据不丢失的特性，被认为在人工智能、医疗、工业、汽车和消费电子领域具有广泛应用前景。
根据双方协议，Neumonda将为FMC提供存储器设计和测试方面的咨询服务，并支持其非易失性DRAM+产品的开发。Neumonda拥有多项DRAM存储器相关专利，其Rhinoe、Octopus和Raptor测试平台将为项目提供技术支持。
这是自2009年英飞凌与奇梦达的德国DRAM工厂破产关停以来，欧洲首次尝试重启存储芯片的本土化生产。FMC首席执行官Thomas Rueckes表示，铪氧化物的铁电效应能够将DRAM电容转变为非易失性存储单元，在保持高性能的同时实现低功耗，非常适合AI运算对持久内存的需求。
Neumonda首席执行官Peter Poechmueller则强调，此次合作是重建德国存储芯片产业的重要一步，未来将推动欧洲在高端存储技术领域的自主发展。