4月14日，英诺赛科发布了一则公告，宣布其自主研发的1200V氮化镓（GaN）产品已成功实现量产。据集邦化合物半导体报道，这款产品因具备宽禁带特性，在高压高频应用场景中表现出色，其零反向恢复电荷的核心优势能够进一步提升能源转换系统的效率，并推动设备的小型化设计。
英诺赛科表示，这款1200V氮化镓产品在新能源汽车800V平台中能够显著提升车载充电效率，缩小设备体积，从而延长续航里程并降低整体成本。同时，在高压母线架构的AI数据中心和工业电源领域，该产品有助于实现高效高密度的电源转换，满足数据中心对能源效率的严苛要求，同时也为工业电源的小型化和高效化提供了支持。
据公告介绍，该产品已经通过验证，并在中大功率电源领域实现量产。未来，它将被广泛应用于新能源汽车、AI数据中心等多个行业。英诺赛科强调，氮化镓技术对于构建更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的电子系统具有重要意义。
此外，英诺赛科近期与全球半导体巨头意法半导体（STMicroelectronics）签署了一项氮化镓技术开发与制造协议。双方计划共同推动该技术在消费电子、数据中心、汽车及工业电源系统等领域的广泛应用。