方正微电子发布第二代车规主驱SiC MOS产品
方正微电子近期发布了第二代车规主驱SiC MOS 1200V 13mΩ产品。据公司介绍，该产品在第一代高可靠性的基础上进一步优化，性能显著提升，Die size缩小，FOM值提高，同时满足行业主流芯片面积需求。其主要特点包括高导通电阻（13mΩ）、高击穿电压（>1500V）、高阈值电压（3V）以及高可靠性（＞3000小时）。此外，该产品支持1000VDC电驱系统，可靠性为行业通用认证要求的3倍。
方正微电子表示，第二代车规主驱SiC MOS产品已对标行业头部企业最新一代产品，而第一代SiC MOS已实现大规模上车，预计到2025年将覆盖几十万辆乘用车主驱。公司产品广泛应用于新能源车、光储充、UPS、工业电源、AI服务器以及机器人、eVTOL、电动船舶等新兴领域。
在上海慕尼黑展会上，方正微电子展示了碳化硅全场景解决方案，涵盖新能源汽车、光储充等多个领域。其中，新能源汽车领域展示了G1/G2/G3三代车规碳化硅晶圆、衬底、外延、裸die器件和模组；光储充领域则展示了SiC MOS单管、模组及SiC SBD解决方案。
士兰微电子展示车用SiC模块及8英寸产线进展
士兰微电子在上海慕尼黑展会上展示了多项解决方案，覆盖白电、汽车、工业新能源、AI算力及机器人等领域。其中包括空调/冰箱/洗衣机变频方案、车用SiC模块、光伏逆变器解决方案及服务器板级电源等。
士兰微电子还集中展示了四大核心领域解决方案：白电领域突出直流变频技术应用；汽车领域展示了B3G SiC模块等车规级芯片；工业新能源领域主推微型逆变器与储能变流器方案；AI算力方向则提供六轴IMU传感器及服务器电源方案。
据资料显示，士兰微电子长期坚持IDM（设计制造一体化）发展道路，积累了丰富的技术和工艺经验。今年2月，士兰微电子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目（厦门士兰集宏一期）正式封顶。该项目一期投资70亿元，预计今年年底初步通线，明年一季度投产，到2028年底将形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。
此外，士兰微电子在厦门制造基地建设的车规级6英寸SiC MOSFET产线自2022年起已量产三年。基于自主研发的第二代SiC主驱芯片开发的高性能SiC功率模块已大批量上车，并获得TOP客户认可。目前，士兰微已完成四代SiC芯片研发，新一代SiC功率模块预计今年上量。