据报道，富士康研究院半导体所近期与阳明交通大学及德州大学奥斯汀分校展开跨国合作，成功在第四代半导体领域取得突破性进展。相关研究成果已发表于国际权威期刊《Applied Surface Science Advances》和《ACS Applied Electronic Materials》。
第四代半导体主要指超宽能隙（UWBG）材料，例如钻石、AlN、β-Ga₂O₃等。这类材料因其能隙大于3.4 eV，在高功率、高频和高温环境下展现出优异性能，远超前三代半导体材料。研究团队聚焦于β-氧化镓，其超宽能隙（4.8~4.9 eV）和高崩溃电场强度（8 MV/cm）使其在高功率电子元件领域具备显著优势。
富士康研究院半导体所所长郭浩中表示，此次技术突破体现了富士康在高压、高频元件研发领域的深厚积累。未来，这些成果将为通讯及高功率技术领域带来深远影响。研究团队还通过精确的材料设计与实验验证，实现了模拟与实验数据的高度一致，为后续量产奠定了坚实基础。
阳明交通大学教授洪瑞华补充道，研究不仅提升了β-Ga₂O₃元件的电流驱动能力和耐压性，还通过优化生长参数与结构设计，为未来高功率电子产业应用开拓了新方向。
据悉，富士康研究院计划进一步优化β-Ga₂O₃的结构设计与制程技术，推动全球高功率电子产业的发展。