据韩媒ChosunBiz援引市调机构Omdia预测，2025年长鑫存储的DRAM产量将达到273万片（以投入晶圆为基准），较2024年的162万片增长68%。这一增速远超此前市场预期的20%。
目前，长鑫存储的DRAM月产量已从2024年第一季度的10万片提升至2025年第一季度的20万片，预计到2026年将进一步扩大至30万片。尽管其当前产量仅为SK海力士的四分之一，但其在DDR4和DDR5领域的快速布局已对市场形成压力。长鑫存储不仅在旧型DRAM DDR4领域占据较大份额，还逐步提升DDR5的产量，进一步向主流市场靠拢。
市场分析指出，长鑫存储的快速崛起可能使DRAM市场从目前由三星电子、SK海力士和美光主导的三强格局，逐步演变为四强竞争的局面。2024年，由于长鑫存储大幅提升DDR4产量，市场价格已出现下滑，这标志着其在DRAM市场中的影响力正在增强。
此外，长鑫存储还在高带宽存储器（HBM）领域积极布局。据韩国现代汽车证券报告，中国DRAM厂商正在开发第四代HBM3和第三代HBM2E，预计未来2~3年内，国产的HBM将应用于华为升腾系列。
尽管长鑫存储的市占率仍较低，但其快速成长引发了业界对其“滚雪球效应”的担忧。业内人士认为，这种发展模式可能重现韩国存储器产业逐步取代日本的历史。