近日，英国南安普敦大学宣布成功开设了一个尖端电子束光刻（EBL）中心。这是日本以外全球首个分辨率达5纳米以下的中心，也是欧洲首个此类电子束光刻中心。该中心能够制造下一代半导体芯片。
据南安普敦大学介绍，该电子束光刻中心采用日本JEOL公司的加速电压直写电子束光刻系统。这是全球第二台200kV系统（JEOL JBX-8100 G3），第一台在日本。该系统可在200毫米晶圆上实现低于5纳米级精细结构的分辨率处理，适用于厚至10微米的光刻胶，侧壁几乎垂直，有助于开发电子和光子学领域研究芯片中的新结构。JEOL的另一款100kV EBL设备（JBX-A9）将用于支持更大批量的300毫米晶圆。
目前，JEOL的加速电压直写电子束光刻系统（JEOL JBX-8100 G3）已安装在南安普顿大学蒙巴顿综合大楼内一个专门建造的820平方米洁净室内。
英国科学部长帕特里克·瓦兰斯勋爵表示：“英国是世界上一些最令人兴奋的半导体研究的所在地，南安普敦的新电子束设施极大地提升了我们的国家能力。通过投资基础设施和人才，我们为研究人员和创新者提供了在英国开发下一代芯片所需的支持。”
南安普顿大学马丁·查尔顿教授表示：“我们非常荣幸成为日本以外首个拥有这套新一代200千伏电子束光刻系统的机构。南安普顿大学在电子束光刻领域拥有超过30年的经验。这将有助于推动量子计算、硅光子学和下一代电子系统领域的发展。这套设备与我们现有的微加工设备套件相得益彰，使我们能够研发和生产各种用于电子、光子学和生物纳米技术的集成纳米级器件。”
Graham Reed 教授补充道：“新电子束设施的引入将加强我们在英国学术界拥有最先进的洁净室的地位。它促进了大量创新和工业相关的研究，以及急需的半导体技能培训。”