安世半导体近期宣布推出采用D2PAK-7封装的车规级1200V碳化硅MOSFET。这些器件此前已推出工业级版本，如今通过AEC-Q101认证，可广泛应用于电动汽车的车载充电器（OBC）、牵引逆变器、DC-DC转换器以及暖通空调系统（HVAC）等领域。
图源：安世半导体
安世半导体指出，RDS(on)是衡量SiC MOSFET性能的关键指标，其值直接影响导通损耗。然而，随着工作温度上升，RDS(on)的标称值可能增加100%以上，从而导致较高的导通损耗。与传统通孔技术相比，采用表面贴装器件（SMD）封装时，温度稳定性尤为重要，因为器件需通过PCB散热。安世半导体通过创新工艺技术，显著提升了新型SiC MOSFET的温度稳定性。在25℃至175℃的工作温度范围内，其RDS(on)标称值仅增加38%，表现优于行业平均水平。
此次推出的车规级SiC MOSFET系列产品，其RDS(on)值分别为30mΩ、40mΩ和60mΩ。此外，安世半导体还计划在2025年推出17mΩ和80mΩ RDS(on)的车规级SiC MOSFET，进一步丰富产品线。