据Tom's Hardware报道，美国存储器公司Neo Semiconductor（简称Neo）近期发布了两款全新的3D X-DRAM设计，分别为“1T1C”和“3T0C”。这两款设计预计在2026年推出概念验证测试芯片，或将对传统DRAM市场带来重大冲击。
Neo的新型3D X-DRAM单模块容量可达512Gb，是传统DRAM模块容量的10倍。同时，该设计还具备高速、低功耗等优势。测试数据显示，新设计的读写速度达到10纳秒，数据保留时间超过9分钟，这些指标均领先于当前主流DRAM技术。
这两款设计采用了氧化铟镓锌（IGZO）材料以及3D NAND堆叠架构。通过结合这些技术，新款存储器在提升容量和性能的同时，还能保持较低的能耗。此外，由于新设计基于现有的3D NAND生产流程改良，Neo希望现有的3D NAND生产线能够快速升级，以适应新产品的生产需求。
与Neo此前推出的3D X-AItech等更具针对性的技术相比，1T1C设计被认为更有可能成为传统DRAM的有力竞争者。Neo计划在即将于2025年5月18日举行的IEEE IMW会议上，进一步披露这两款设计的技术细节。