台积电在15日举办的2025年技术论坛上展示了多项关键技术创新与未来规划。
在先进制程技术方面，台积电推出了A14和A16工艺。A14将通过更强的运算能力和更高的能源效率加速AI发展，与N2制程相比，同功耗下速度提升15%，同速度下功率降低30%，逻辑密度增加超20%。A14计划于2028年投产，搭载超级电轨技术的版本预计于2029年推出。A16则针对数据中心AI/HPC产品，提供背面供电技术和优化逻辑密度，计划于2026年下半年量产。
2纳米（N2）制程按计划将于2025年下半年量产，256Mb SRAM的平均良率已超过90%。N2P预计于2026年下半年量产，与N3E相比，同功耗下速度提升18%，同速度下功率降低36%，逻辑密度增加1.2倍。N2X计划于2027年量产，提供约10%的Fmax（最大时钟频率）。
此外，N3系列技术预计将成为高产量且长期生产的技术。截至2025年4月，已有超过70个新设计定案，N3E正为旗舰移动和HPC、AI产品高度量产；N3P将于2024年第四季度量产。N3X、N3C和N3A分别针对CPU、价值优先产品和汽车应用，其中N3A有望获得AEC-Q100一级认证，预计2025年底生产就绪。
台积电还在技术创新和产能扩展方面取得显著进展。CFET设计被视为有前景的微缩技术，通过将nFET和pFET垂直堆叠，实现了近2倍的晶体管密度。台积电还展示了基于2D材料的晶体管和堆叠纳米片晶体管架构的电气性能。
在3DFabric技术方面，SoIC平台用于3D硅堆叠，SoIC-P和SoIC-X堆叠方案计划于2025年量产。CoWoS技术针对HPC应用，整合先进逻辑和HBM，5.5倍光罩尺寸的CoWoS-L技术预计于2026年推出，9.5倍光罩尺寸的CoWoS计划于2027年量产。
台积电的系统级晶圆（SoW）技术将逻辑和HBM晶圆级整合，满足AI训练对运算能力的需求。SoW-X计划于2027年量产，其运算能力比现有CoWoS解决方案高40倍。特殊制程技术方面，台积电提供首款HBM基础裸晶，N12基础裸晶解决方案已准备就绪，N3版本预计2025年底就绪。
为满足AI应用需求，台积电持续扩大先进制程产能。2025年，与AI相关产品的晶圆出货量预计是2021年的12倍，大尺寸芯片产品出货量预计是2021年的8倍。在先进封装领域，2022年至2026年，SoIC产能年复合增长率将超100%，CoWoS产能年复合增长率将超80%。
台积电预测，到2030年，全球半导体市场将达到1万亿美元，主要由高效运算（45%）、智能手机（25%）、汽车（15%）和物联网（10%）等应用主导。
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