5月16日，镓仁半导体与德国氧化镓外延头部企业NextGO.Epi签署全球战略合作协议。双方将结合各自的技术优势，共同聚焦超宽禁带半导体材料氧化镓的研发与产业化，推动其在新能源与电力电子等领域的应用突破，为全球半导体产业注入新活力。
资料显示，NextGO.Epi成立于2025年，专注于高品质β-Ga₂O₃（氧化镓）外延片的大规模制造，为高功率和光电探测应用提供关键材料支持。该公司是德国莱布尼茨晶体生长研究所（IKZ）孵化的企业，由周大顺博士、Andreas Popp博士和Andreas Fiedler博士共同创立，总部位于德国柏林。
图源：镓仁半导体——图为NextGO Epi 坐落于德国柏林莱布尼茨晶体研究所
镓仁半导体作为一家专注于宽禁带半导体材料研发、生产和销售的科技型企业，近年来在氧化镓领域取得了显著成果。公司自主研发的铸造法单晶生长技术，实现了从2英寸到8英寸氧化镓单晶衬底的快速升级，创造了每年提升一个尺寸的行业纪录。此外，镓仁半导体还开发了国内首台包含工艺包的氧化镓专用VB长晶设备，并已全面对外销售。