据韩媒ZDNet Korea报道，三星电子计划在韩国华城园区新建第六代1c DRAM量产线，预计最快于2025年底开始投资。此举表明三星对其良率提升充满信心。
三星此前已在平泽厂推进1c DRAM的量产计划。据传，2025年初，三星将在平泽第四园区（P4）建立首条1c DRAM量产线，初期月产能约为3万片，规模较小。随后，三星计划在2025年下半年进一步扩大P4园区的1c DRAM产能，预计月产能将增至至少4万片。此外，华城17产线也有望在2025年底前启动1c DRAM的转换投资，目前正与相关协力厂协商具体计划。
华城17产线目前主要生产第三代10纳米级1z DRAM，但其生产比重正在快速下降。三星此前已在华城15产线和16产线完成了1b DRAM的转换投资。
1c DRAM是三星新一代高带宽存储器（HBM）HBM4的核心元件。与竞争对手SK海力士和美光在HBM4中采用1b DRAM不同，三星计划使用1c DRAM以优化产品性能。这对其在HBM市场中争夺主导权具有重要意义。
韩国半导体业界人士透露，三星内部对1c DRAM的良率提升持积极态度，目标是在2025年第三季度取得PRA（内部量产准备批准）。尽管后续仍需解决诸多课题才能实现量产，但设备投资计划正在稳步推进中。