据市场研究机构TrendForce发布的最新报告显示，得益于AI芯片需求的增长，三大DRAM原厂正加大力度推进HBM4产品的研发进度。然而，HBM4的I/O数量增加，芯片设计复杂度提高，导致所需晶圆面积扩大。此外，部分供应商转向逻辑基底芯片架构以提升性能，这些因素都将推高成本。考虑到HBM3e刚推出时溢价约20%，制造难度更高的HBM4溢价幅度可能超过30%。
最新数据显示，英伟达的Rubin GPU和AMD MI400都将采用HBM4。相比上代产品，HBM4的I/O数量从1,024提升至2,048，数据传输速率维持在8.0Gbps以上，与HBM3e相当。这意味着在相同传输速度下，HBM4凭借更高的信道数量可实现数据传输总量翻倍。
目前，HBM3e的base die采用内存架构，仅负责信号转接。而SK海力士与三星的HBM4 base die将与晶圆代工厂合作，改为逻辑芯片架构，整合HBM与SoC功能，不仅能加速数据路径、降低延迟，还能在高速数据传输环境下提升稳定性。
TrendForce预测，到2026年，HBM市场总出货量将突破300亿Gb，HBM4市占率将随着供应商逐步放量而逐季提升，预计在2026年下半年超越HBM3e系列产品，成为市场主流。在供应商表现方面，SK海力士将以超过50%的市占率稳居领先地位，而三星与美光则需进一步提升产品良率与产能，才能缩小差距。