三星Galaxy S24整合LLW DRAM,能效提升70%
2023-12-02 17:22:07 芯片 334观看
摘要三星电子半导体通过其社交媒体平台“X”首次发布了一则长达44秒的LLW DRAM广告视频。这标志着三星首次向公众介绍LLW DRAM。视频揭示,LLW DRAM并非完全替代现有的DRAM,而是与CPU协同工作,计划将其应用于扩展现实(XR)、智能

三星电子半导体通过其社交媒体平台“X”首次发布了一则长达44秒的LLW DRAM广告视频。这标志着三星首次向公众介绍LLW DRAM。视频揭示,LLW DRAM并非完全替代现有的DRAM,而是与CPU协同工作,计划将其应用于扩展现实(XR)、智能手机、游戏和个人电脑等领域。YIS28资讯网——每日最新资讯28at.com


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据业内分析,三星电子有望在即将发布的Galaxy S24中首次搭载创新内存LLW(低延迟宽I/O)DRAM,以支持设备上的人工智能。Galaxy S24计划于明年第一季度发布。YIS28资讯网——每日最新资讯28at.com


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LLW DRAM是专为设备上人工智能而设计的动态随机存储器(DRAM)。通过增加输入/输出端口(I/O),LLW DRAM技术提高了数据处理能力(带宽),当靠近处理器时,相较于普通DRAM,功耗效率提高约70%。YIS28资讯网——每日最新资讯28at.com


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尽管目前尚不清楚三星电子何时将采用LLW DRAM,但迹象表明,它有望首次应用于Galaxy S24。这一举措将进一步巩固三星在半导体领域的创新地位,为未来的智能设备提供更高性能和更低延迟的内存解决方案。YIS28资讯网——每日最新资讯28at.com


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