据韩媒报道，三星电子先进封装（AVP）事业组正着手新一代DRAM技术「Cache DRAM」，目标2025年开始量产。据悉，该项技术与既有HBM相比，Cache DRAM功耗效率将改善60%，资料移动延迟将减少50%。
在封装技术上，Cache DRAM与HBM也有较大区别，HBM目前是水平连接至GPU，但Cache DRAM将垂直连接于GPU。传言，Cache DRAM只须一个芯片就能储存一个HBM的资料量。
值得观察的是，三星为发展先进封装技术，不仅一年内投资超过2兆韩元增设封装产线，2023年也新设AVP事业组，盼能加速追赶台积电等竞争对手。
相关人士认为，随着实现先进制程愈来愈困难，3D封装将成为半导体业者竞争力关键，而三星若要2030年实现系统半导体第一目标，势必得投资封装技术。
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