近期，有关苹果即将在2027年推出的20周年版iPhone的技术创新细节逐渐浮出水面。据悉，苹果正致力于开发多项前沿技术，其中，HBM（高带宽内存）技术尤为引人注目，有望成为提升iPhone性能的关键所在，特别是在设备端的人工智能（AI）应用方面。
HBM，即High Bandwidth Memory，是一种采用3D堆叠技术的新型高性能DRAM。它通过TSV（硅通孔）技术，将多个内存芯片垂直堆叠在一起，不仅显著提高了数据吞吐量，还降低了功耗，同时减小了内存芯片的体积。与传统的2D内存相比，HBM凭借其立体互联结构，实现了更高的集成度和更快的读写速度。
苹果计划将HBM技术应用于iPhone的GPU单元，以大幅增强设备端的AI计算能力。这一举措对于运行复杂的端侧AI大模型至关重要，它不仅能够有效延长电池续航，还能大幅度减少计算延迟。HBM与处理器通过共享的Interposer中间介质层实现紧密连接，这种设计不仅优化了芯片面积的使用，还缩短了数据传输时间。
据了解，苹果已与三星电子和SK海力士等内存供应商就HBM内存的供应计划展开了深入讨论。三星正在开发VCS封装方案，而SK海力士则采用了VFO技术。两家公司均计划在2026年之后实现HBM内存的量产，以满足未来市场需求。
然而，尽管HBM内存技术在性能上具备显著优势，但在移动设备中的应用仍面临不少挑战。HBM的制造成本远高于当前的LPDDR内存，这对于追求性价比的智能手机市场来说，无疑是一个不小的考验。作为一款轻薄设备，iPhone的散热能力将是HBM技术应用的重要限制因素。再者，3D堆叠和TSV工艺涉及高度复杂的封装技术，良率的提升也是一个亟待解决的问题。
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