近日，美国知名功率器件制造商纳微半导体（Navitas Semiconductor）宣布了一项重大合作，与图形处理器巨头英伟达携手，共同推进下一代800V高压直流供电（HVDC）架构的发展。此次合作旨在满足日益增长的人工智能计算需求，特别是在数据中心领域。
据了解，现有的数据中心架构大多采用传统的54V机架内配电方式，其功率限制在几百千瓦（kW）范围内。这种架构在传输电力时需要使用笨重的铜母线，且当功率超过200kW时，会面临功率密度、铜缆需求增加以及系统效率降低等多重挑战。然而，现代人工智能数据中心所需的电力已高达数吉瓦（GW）级别，传统架构显然已无法满足这一需求。
英伟达推出的800V HVDC架构，旨在通过高效、可扩展的电力输送方式，为下一代AI工作负载提供有力支持。该架构采用固态变压器（SST）和工业级整流器，在数据中心边界直接将13.8kV交流电网电源转换为800V高压直流电，从而大大简化了电力转换过程，提高了效率和可靠性。由于800V HVDC电压等级更高，I²R损耗更低，因此铜线的厚度也可以大幅减少。
据英伟达预测，向800V HVDC架构的转变将带来显著的效益。数据中心的电力效率可提高5%，铜线使用量减少45%，维护成本更是可以降低高达70%。对于管理着数千个机架的超大规模运营商而言，这些改进意味着数百万美元的运营成本节省。这无疑为数据中心的未来发展指明了方向。
作为此次合作的另一方，纳微半导体在AI数据中心解决方案领域拥有领先地位。其高功率GaNSafe™功率IC集成了控制、驱动、传感和关键保护功能，实现了前所未有的可靠性和稳健性。GaNSafe被誉为全球最安全的GaN产品，具有短路保护功能、所有引脚均提供2kV ESD保护等多项优势。纳微半导体还提供一系列针对次级侧DC-DC转换优化的中压（80-120V）GaN器件，为AI数据中心电源提供了高速、高效率和小尺寸的解决方案。
纳微半导体旗下的GeneSiC品牌也在此次合作中发挥了重要作用。凭借20年的SiC创新领导力，GeneSiC的专有技术提供了世界领先的温度性能，为高功率、高可靠性应用提供了高速、低温运行的保障。其G3F SiC MOSFET兼具高效率和高速性能，外壳温度可降低高达25°C，使用寿命更是比其他供应商的SiC产品延长高达3倍。
作为英伟达800V HVDC供应商联盟的一员，纳微半导体的GaNFast和GeneSiC技术为800V HVDC系统的高频开关和热效率提供了有力支持。这些技术优势是传统硅功率器件所无法比拟的，也为纳微半导体在AI数据中心领域的发展奠定了坚实基础。
此次合作不仅标志着纳微半导体在AI数据中心领域的进一步拓展，也预示着数据中心电力架构的深刻变革。随着人工智能技术的不断发展，数据中心对电力的需求将持续增长。而800V HVDC架构的推广和应用，将为实现更高效、更可靠的电力输送提供有力保障。
受英伟达大单消息的影响，纳微半导体的股价在美股市场出现了暴涨。22日，其股价收盘大涨164%，收于5.05美元/股，市值达到9.69亿美元。这是该公司史上最大单日涨幅，尽管与历史高点相比仍有一定差距，但无疑为纳微半导体的未来发展注入了强劲动力。
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