近日，联电推出了业界首个RFSOI 3D IC解决方案，将其55奈米RFSOI制程平台与硅堆栈技术相结合，实现了在不损失射频（RF）性能的情况下将芯片尺寸缩小超过45％的突破。这一创新技术将被应用于手机、物联网和AR/VR等领域，为加速5G世代的到来铺平道路。该技术已获得多项国际专利，并即将投入量产。
RFSOI制程是用于射频芯片的晶圆制造，主要应用于低噪声放大器、开关和天线调谐器等领域。随着智能手机对频段数量需求的增长，联电的RFSOI 3D IC解决方案利用晶圆对晶圆的键合技术，成功解决了射频堆栈常见的干扰问题，通过垂直堆叠芯片的方式，实现了关键组件的面积缩小，应对了整合更多射频前端模块的挑战。
据悉，该解决方案涵盖了从130到40奈米的制程技术，采用了8吋和12吋晶圆生产，已有超过500个产品设计定案，出货量高达380多亿颗。
联电技术开发处执行处长马瑞吉表示，这一突破性技术不仅能够解决5G/6G智能手机频段需求增加所带来的挑战，还将在行动、物联网和虚拟现实等领域中发挥重要作用，为更快的数据传输提供支持。未来，联电将继续致力于开发类似5G毫米波芯片堆栈技术的解决方案，以满足客户对射频芯片的不断增长的需求。
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