根据海外媒体Sammobile消息，三星计划在6月于美国召开的2024年晶圆代工论坛上，正式公布其1nm制程工艺计划。
据悉，该计划将1nm的量产时间从原本的2027年提前到了2026年。
按照这一时间规划，如果一切顺利，那么在1nm工艺问世前，三星将首先在2025年实现2nm“SF2”工艺的量产。
三星加速1nm工艺的信心，来自于“Gate-All-Around（GAA）”电流控制技术，该技术能显著降低晶体管的漏电流，提升芯片功率效率。
值得一提的是，台积电方面也在积极布局1nm工艺相关的技术。
据悉，台积电计划在2027年达到1.6nm的“A16节点”，并在2027到2028年左右，实现1.4nm工艺的量产。
如果三星计划2026年量产1nm的消息属实，那么或许将在一定程度上影响台积电的工艺发展计划。
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