据媒体报道，IBM与半导体设备巨头东京威力科创（TEL）近日宣布延长合作协议，未来五年将共同开展先进半导体技术的联合研发。此次合作将重点推进下一代半导体节点与架构的技术突破，以应对生成式人工智能时代对芯片性能的更高需求。

双方的合作关系已持续二十多年，期间取得了一系列重要技术成果。例如，他们共同开发了一种新型激光剥离工艺，用于3D芯片堆叠技术，并成功应用于300mm硅晶圆的生产。这些技术突破为半导体行业多代芯片的性能提升和能效优化奠定了基础。
东京威力科创总裁兼执行长河合利树表示，双方通过多年合作建立了深厚的信任关系，此次续签协议体现了对推动半导体技术发展的共同承诺。合作领域将包括高数值孔径（High NA）极紫外光（EUV）光刻技术的进一步开发。
IBM半导体总经理兼混合云部门副总裁Mukesh Khare强调，双方的合作在提升芯片性能和能效方面发挥了重要作用。未来，他们将继续携手加速芯片技术创新，为生成式人工智能的发展提供强大支持。