上汽英飞凌无锡扩建功率半导体产线,年产能将达420万个
2025-04-22 07:32:15 芯片 11观看
摘要近日,上汽英飞凌汽车功率半导体(上海)有限公司发布了关于无锡扩建功率半导体模块产线项目的环评公告。据公告内容显示,该项目总投资达3.1亿元,选址位于无锡分公司,建成后将使全厂年产能从现有的260万个提升至420万个,新增产
近日,上汽英飞凌汽车功率半导体(上海)有限公司发布了关于无锡扩建功率半导体模块产线项目的环评公告。据公告内容显示,该项目总投资达3.1亿元,选址位于无锡分公司,建成后将使全厂年产能从现有的260万个提升至420万个,新增产能主要用于生产第二代框架式功率模块产品。
业内人士指出,此次无锡产线扩建不仅将进一步巩固上汽英飞凌在行业中的领先地位,还将为当地经济发展注入新动力。项目实施后,预计将创造更多就业机会,并推动相关产业链的协同发展。同时,技术的升级与产能的扩充也将为汽车产业提供更高效、更优质的功率半导体产品,助力绿色转型与技术创新。
据悉,该项目的落地将为汽车功率半导体市场注入新活力,并为我国汽车产业的高质量发展提供重要支撑。


q2D28资讯网——每日最新资讯28at.com

本文链接:http://www.28at.com/showinfo-27-146275-0.html上汽英飞凌无锡扩建功率半导体产线,年产能将达420万个

声明:本网页内容旨在传播知识,不代表本站观点,若有侵权等问题请及时与本网联系,我们将在第一时间删除处理。

显示全文

上一篇:晶合集成2024年营收92.49亿元,28nm制程研发取得突破

下一篇:一加13T发布在即:全球首款6260mAh电池小屏手机登场

最新热点