据韩媒Financial News报道，三星电子正计划通过新成立的任务小组（TF），加速第七代DRAM（1d DRAM）的量产进程，为高带宽存储器（HBM）市场反攻奠定基础。此举被视为三星重拾技术优势、抢回全球DRAM市场第一宝座的重要举措。
调研机构数据显示，2025年第一季度，三星在全球DRAM市场的市占率约为34%，落后于SK海力士的36%。面对这一局面，三星显然希望通过次世代存储器技术的突破，扭转竞争劣势。据悉，三星半导体暨装置解决方案（DS）部门的存储器事业部已新设制程架构（PA）TF，专门负责1d DRAM量产前的准备工作，并持续扩充团队规模。
高性能DRAM已成为HBM市场的关键竞争点。例如，第六代HBM（HBM4）的量产离不开高效能DRAM的支持。因此，三星此次成立专项小组，旨在加速次世代DRAM技术的成熟与量产，以抢占HBM市场先机。
此外，三星还通过半导体研究所的团队，专注于10纳米以下先进制程的研发。业内人士指出，三星正面临技术竞争压力，尤其在良率提升方面存在挑战。此次集结人力推进1d DRAM量产，表明其技术已达到一定成熟度。
尽管三星计划在2026年量产1d DRAM，并于2027年推出10纳米以下的第一代DRAM（D0a），但业界对其能否成功扭转颓势仍持观望态度。截至目前，尚未有企业完成第七代DRAM的开发与量产。
对于相关传闻，三星表示，不对市场猜测发表评论。